隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元,增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%.
中國企業(yè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破,功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。2009年我國功率半導(dǎo)體銷售額已超過870億元,同比增長(zhǎng)5.86%.我國的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來幾年里還會(huì)保持增長(zhǎng),2010年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)10%,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到956.6億元,2011年將達(dá)到1060.5億元。由于目前中國市場(chǎng)功率半導(dǎo)體器件有接近90%需要進(jìn)口,因此中國掌握功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的企業(yè)未來面臨巨大的進(jìn)口替代市場(chǎng)空間。
國家對(duì)于功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的扶持力度加大。在2009年出臺(tái)的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中,明確提出要提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)能力,初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產(chǎn)業(yè)體系。2010年3月19日國家發(fā)改委專門出臺(tái)針對(duì)支持功率半導(dǎo)體發(fā)展的文件《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)的通知》,重點(diǎn)支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。
功率半導(dǎo)體進(jìn)口替代空間大 2010預(yù)計(jì)增長(zhǎng)10%
時(shí)間:2010-06-09
導(dǎo)語:國家對(duì)于功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的扶持力度加大。中國企業(yè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破,功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。
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