富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

時間：2011-08-22

來源：富士電機（中國）有限公司

導語：富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體 ，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。

      全球著名的跨國公司富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體 ，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。
      富士電機將在近期內(nèi)決定生產(chǎn)規(guī)模，外界預估投資額將可達到數(shù)10億日圓，此產(chǎn)線利用二極管及碳化硅制作出功率半導體，并整合絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT），以模塊方式提供給工業(yè)用機器。
      在此之前，富士電機已然與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產(chǎn)碳化硅功率半導體的試作品，今后透過自家公廠產(chǎn)線，富士電機計劃正式進行量產(chǎn)。
      富士電機于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導體的投資額高達185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。
      碳化硅功率半導體為變頻器（Inverter）中一重要零組件，主要用于控制馬達轉(zhuǎn)速，近期以來因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導體因性能已然難以提升，故電力損失可減半的碳化硅功率半導體，可望于2015年成為市場主流。
      根據(jù)野村證券金融 經(jīng)濟研究所的預估，功率半導體市場規(guī)模將在2013年，達到165億日圓，較2009年增加64%.盡管關于碳化硅功率半導體的市場預估仍然不多，但業(yè)界估計，碳化硅功率半導體市場將可在2019年達到8億美元規(guī)模，較2010年增加達30倍。
      為因應未來市場需求，日本多家廠商已然陸續(xù)整頓生產(chǎn)體制，先有Rohm于2010年，后有三菱電機于2011年初量產(chǎn)碳化硅功率半導體。海外方面也有德國InfineonTechnologies、意法半導體（STMicroelectronics）等公司，投入碳化硅功率半導體市場。

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